組織の枠を超えて結集した技術を 次の成長産業に社会実装する。大熊ダイヤモンドデバイス株式会社

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当社について

福島第一原子力発電所の廃炉事業により、組織の枠を超え集結した技術をまとめ上げ社会実装する。

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ダイヤモンドにしか解決できない領域への社会実装

通信衛星・レーダー・ポスト5G携帯電話基地局。
ダイヤモンドにしか解決できない領域があり、ダイヤモンド半導体が必須となる。

power plant

廃炉・原子力

sattelite

衛星通信

radar

レーダー

telephone line

ポスト5G

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ダイヤモンド半導体とは?

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ダイヤモンドは一般に硬度の高い宝石の印象が強いですが、物質特性で見てみると熱伝導率、絶縁破壊、比誘電率、移動度が比較対象と比べても勝っており、大きな電力を無駄なくつかえるようになります。

当社が作るダイヤモンド半導体は、「演算」や「記憶」を行うマイコン・メモリではなく、電源(電力)の制御・供給や周波数変換を行うアナログデバイスに使用します。

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ダイヤモンド半導体の優位性

ダイヤモンド半導体は、これまで多く使われてきたどの材質よりも大きな電力を無駄なくつかえるようになる性質を持っています。

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ダイヤモンド半導体の必要性

既存半導体デバイスは自己発熱で 性能が劣化するため大型冷却装置が必須でしたが、ダイヤモンド半導体では除熱不要により小型化軽量化が可能となります。また高出力高周波素子としてのポテンシャルも持っています。

  1. 1. 高温(300℃)、放射線(3MGy)環境下での動作
  2. 2. 反転、非反転増幅した出力を同時確認
  3. 3. 信号を4.5倍に増幅
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原子炉過酷事故や廃炉作業、基地局用途における自己発熱のような高温環境下・放射線環境下での動作(耐過酷環境)や、データ通信量爆発・高速化(Beyond 5G)に対応するアナログデバイスの製造に必要不可欠なのです。

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解決しようとしている課題

自動運転、ドローン、IoT、ブロックチェーン、メタバース等の次世代サービスに共通する最大のボトルネックは、高速大容量データ通信可能なビヨンド5Gに向けた無線通信基地局の整備です。

既存の5Gは4Gよりもカバーエリアが狭く、その分基地局を増やす必要があるために消費電力が増大し、通信トラフィック量の変動に合わせた基地局及び網内機器の柔軟な稼働制御による電力削減の必要性が増してしまう問題があります。

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6G基地局設置における仕様と課題

ダイヤモンド半導体は、小型・軽量化性能だけでなく、高出力と高周波性能を両立させることができます。ビヨンド5G基地局展開に通用する唯一の材料がダイヤモンドなのです。

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会社情報

                   
会社名 大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
設立日 2022年3月1日
事業内容 ダイヤモンド半導体の研究開発
住所本社:札幌市北区北21条西12丁目2北大ビジネススプリング
支社:札幌市北区北21条西12丁目コラボほっかいどう
支社:福島県双葉郡大熊町大字下野上字清水230
代表取締役 星川 尚久
研究参画人数 14人
連携研究機関 北海道大学、産総研、物材機構、高エネルギー加速器研究機構

事業内容

廃炉対応/耐放デバイス事業 原子力発電所や宇宙等、極限環境下における放射線測定・中性子検出 ・過酷事故対応計測/前置増幅器/マルチプレクサ/伝送器 他
衛星通信・レーダー事業 衛星通信機器・レーダー産業向け、ダイヤモンド半導体の製造・販売 ・衛星通信(地球局・衛星)/航空管制/船舶監視/気象観測/防衛 他
通信機器事業
(Beyond 5G)
  1. Beyond 5Gを見据えた、基地局向けダイヤモンド半導体の製造・販売
  2. ・携帯電話基地局
  3. ・携帯電話基地局間通信

沿革

1995年 ダイヤモンド関連研究を始める
2003年 ダイヤモンド極限機能プロジェクトにより計測担当を行う
2006年 科学研究費補助金 特定領域研究、「DT中性子計測への応用をめざした高品質単結晶ダイヤモンドの合成と特性評価」を採択
2008年 科学研究費補助金 特定領域研究「CVD単結晶ダイヤモンド合成に基づくDT中性子エネルギースペクトロメータの開発」を採択
2011年 東日本大震災
2012年 文部科学省 原子力システム研究開発事業「過酷事故対応を目指した原子炉用ダイヤモンド半導体デバイスに関する研究開発」を採択
2016年 文部科学省 原子力システム研究開発事業「原子炉計装の革新に向けた耐放射線・高温動作ダイヤモンド計測システムの開発とダイヤモンドICの要素技術開発」を採択
2020年 文部科学省 原子力システム研究開発事業「過酷事故対応電子機器の実用化に向けた耐放射線・高温動作半導体デバイスの高性能化」を採択
2020年12月 RADDFET特許出願(北海道大学)
2021年12月 世界初の実用型ダイヤモンド半導体プロトタイプ完成